Ein bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Transistor, der die Vorteile von Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren kombiniert.
Der IGBT verfügt über drei Anschlüsse: Emitter, Kollektor und Gate. Die Gate-Elektrode ist dabei isoliert von den Halbleiterschichten des Transistors. Diese Isolation ermöglicht eine bessere Steuerbarkeit und eine höhere Spannungsfestigkeit, da die Gate-Elektrode nun keine Ladungen aus den anderen beiden Schichten des Transistors anziehen kann.
Durch die Kombination von Bipolartransistoren und Feldeffekttransistoren hat der IGBT die Vorteile einer hohen Stromverstärkung eines Bipolartransistors und der geringen Leistungsaufnahme eines Feldeffekttransistors. Daher wird der IGBT häufig in Anwendungen verwendet, bei denen hohe Leistung und hohe Schaltfrequenzen gefordert sind.
Der IGBT findet Anwendung in Bereichen wie Leistungselektronik, Elektromobilität, Windenergie, industriellen Antrieben, Schweißgeräten und Umrichtern für Stromversorgungen. Durch seine Effizienz und Zuverlässigkeit ist der IGBT zu einem wichtigen Bauteil in der Stromversorgungstechnik geworden.
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